40kW SiC maualuga le lelei o le DC EV Charging Module

E matua gafatia lava le SiC high efficiency charging module ona o loʻo faʻatupulaʻia le manaʻoga mo le faʻatumuina vave o le voltage maualuga. I le maeʻa ai o le faʻalauiloaina muamua a le Porsche i le lalolagi atoa o le faʻataʻitaʻiga o le faʻavae maualuga-voltage 800V Taycan ia Setema 2019, ua faʻalauiloa mai ai e kamupani tetele o le EV faʻataʻitaʻiga o le faʻatumuina vave o le 800V, e pei o le Hyundai IONIQ, Lotus Eletre, BYD Dolphin, Audi RS e-tron GT, ma isi. O loʻo tuʻuina atu uma pe o loʻo gaosia tele i nei tausaga e lua. O le faʻatumuina vave o le 800V ua avea ma mea masani i le maketi; Ua valoia e le CITIC Securities e oo atu i le 2025, o le a oo atu le aofaʻi o faʻataʻitaʻiga o le faʻatumuina vave o le eletise maualuga i le 5.18 miliona, ma o le fua faatatau o le faʻaaogaina o le eletise o le a siʻitia mai le taimi nei e sili atu teisi i le 10% i le 34%. O le a avea lea ma malosiaga autū mo le tuputupu aʻe o le maketi o le faʻatumuina vave o le eletise maualuga i le eletise, ma e faʻamoemoeina o le a manuia saʻo mai ai kamupani i luga atu o le eletise. E tusa ai ma faʻamatalaga a le lautele, o le module faʻatumu o le vaega autu lea o le faaputuga faʻatumu, e tusa ma le 50% o le tau atoa o le faaputuga faʻatumu; faatasi ai ma i latou, o le masini eletise semiconductor e tusa ma le 30% o le tau o le module faʻatumu, o lona uiga, o le module eletise semiconductor e tusa ma le 15% o le tau o le faaputuga faʻatumu, o le a avea ma filifili autu e manuia ai i le faagasologa o le atinaeina o le maketi o faaputuga faʻatumu. I le taimi nei, o masini eletise e faʻaaogaina i pou faʻatumu o le tele lava o IGBT ma MOSFET, o oloa uma ia e faʻavae i le Si, ma o le atinaʻeina o pou faʻatumu i le faʻatumu vave o le DC ua faʻalauteleina ai manaʻoga mo masini eletise. Ina ia faʻavavevave le faʻatumuina o taʻavale e pei o le faʻatumuina o penisini i se fale faʻatau penisini, o loʻo sailia ma le naunautai e le au gaosi taʻavale ni mea e mafai ona faʻaleleia atili ai le lelei, ma o le silicon carbide o loʻo taʻimua i le taimi nei. O le silicon carbide e iai ona lelei o le teteʻe atu i le vevela maualuga, teteʻe atu i le mamafa maualuga, malosi maualuga, ma isi mea, lea e mafai ona faʻaleleia atili ai le lelei o le liua o le malosi ma faʻaitiitia ai le tele o oloa. O le tele o ta'avale eletise e fa'aogaina polokalame fa'atumu eletise fa'a-AC i luga o le va'a, lea e mana'omia ai ni nai itula e fa'atumu atoa ai. O le fa'aaogaina o le malosi maualuga (e pei o le 30kW ma luga atu) e fa'atino ai le fa'atumu vave o ta'avale eletise ua avea ma isi itu taua o le fa'atulagaina o pou fa'atumu. E ui i le lelei o paipa fa'atumu eletise maualuluga, ae e tele fo'i lu'itau e aumaia ai, e pei o le: mana'omia ona fa'atinoina galuega fesuia'i eletise maualuluga, ma le vevela e mafua mai i le liua o eletise. Peita'i, o oloa SiC MOSFET ma diode e iai uiga o le tete'e maualuga i le voltage, tete'e maualuga i le vevela, ma le vave o le fesuia'i o eletise, lea e mafai ona fa'aaogaina lelei i paipa fa'atumu eletise. Pe a fa'atusatusa i masini masani e fa'avae i le silicon, e mafai e paipa silicon carbide ona fa'ateleina le malosiaga o paipa fa'atumu eletise e toetoe lava 30%, ma fa'aitiitia ai le leiloa e o'o atu i le 50%. I le taimi lava e tasi, e mafai fo'i e masini silicon carbide ona fa'aleleia atili le mautu o paipa fa'atumu eletise. Mo pou e fa'atumuina ai le eletise, o le tau o se tasi lea o mea taua e fa'atapula'aina ai le atina'eina, o lea e taua tele ai le malosi o pou e fa'atumuina ai le eletise, ma o masini SiC o le ki lea i le ausiaina o le malosi maualuga. I le avea ai o se masini e maualuga le voltage, saoasaoa maualuga, ma le eletise maualuga, o masini silicon carbide e fa'afaigofieina ai le fausaga o le matagaluega o le DC pile charging module, fa'ateleina ai le malosi o le iunite, ma fa'ateleina tele ai le malosi o le eletise, lea e saunia ai le auala mo le fa'aitiitia o le tau o le faiga o le pou e fa'atumuina ai le eletise. Mai le vaaiga o le tau i le lumanaʻi ma le lelei o le faʻaaogaina, o pou e faʻatumu ai le eletise e maualuga le malosi e faʻaaogaina ai masini SiC o le a aumaia ai avanoa tetele i le maketi. E tusa ai ma faʻamaumauga a le CITIC Securities, i le taimi nei, o le fua faatatau o le faʻaaogaina o masini silicon carbide i totonu o pou faʻatumuina o taʻavale fou e faʻaaogaina ai le malosi e naʻo le 10%, lea e tuʻua ai foʻi se avanoa lautele mo pou faʻatumuina e maualuga le malosi. I le avea ai ma se tasi o kamupani e sili ona taʻimua i le pisinisi o le faʻatumuina o le eletise DC, ua atiaʻe ma faʻalauiloa e le MIDA Power le oloa o le module faʻatumuina e sili ona maualuga le malosi, o le uluai module faʻatumuina e puipuia ai le IP65 ma le tekinolosi tutoʻatasi o le ea. Faatasi ai ma se 'au malosi o le R&D ma le mataupu faavae o le maketi, ua tuuto atu e le MIDA Power le tele o taumafaiga ma ua manuia le atinaʻeina o le module faʻatumuina e sili atu i le 40kW SiC. Faatasi ai ma se maualuga mataʻina o le lelei e sili atu i le 97% ma le lautele o le voltage input mai le 150VDC i le 1000VDC, o le module faʻatumuina e 40kW SiC e ausia toetoe lava o tulaga faʻatumu uma i le lalolagi aʻo faʻasaoina tele ai le malosi. Faatasi ai ma le vave tuputupu aʻe o le aofaʻi o faaputuga faʻatumuina, e talitonuina o le a faʻateleina le faʻaaogaina o le SiC MOSFETs, ma le MIDA Power 40kW SiC module faʻatumuina i faaputuga faʻatumuina e manaʻomia ai le maualuga o le malosi i le lumanaʻi.