Mô-đun sạc xe điện DC hiệu suất cao SiC 40kW

Mô-đun sạc hiệu suất cao SiC có tiềm năng rất lớn do nhu cầu về sạc nhanh điện áp cao đang tăng mạnh. Sau màn ra mắt toàn cầu mẫu xe Taycan sử dụng nền tảng điện áp cao 800V của Porsche vào tháng 9 năm 2019, các hãng xe điện lớn khác cũng đã tung ra các mẫu xe hỗ trợ sạc nhanh điện áp cao 800V, chẳng hạn như Hyundai IONIQ, Lotus Eletre, BYD Dolphin, Audi RS e-tron GT, v.v. Tất cả đều đã được giao hàng hoặc đang trong giai đoạn sản xuất hàng loạt trong hai năm qua. Sạc nhanh 800V đang trở thành xu hướng chủ đạo trên thị trường; Công ty chứng khoán CITIC dự đoán rằng đến năm 2025, số lượng xe có hỗ trợ sạc nhanh điện áp cao sẽ đạt 5,18 triệu chiếc, và tỷ lệ thâm nhập thị trường sẽ tăng từ mức hiện tại chỉ hơn 10% lên 34%. Điều này sẽ trở thành động lực chính thúc đẩy sự tăng trưởng của thị trường sạc nhanh điện áp cao, và các công ty ở khâu thượng nguồn dự kiến ​​sẽ được hưởng lợi trực tiếp từ đó. Theo thông tin công khai, mô-đun sạc là thành phần cốt lõi của trạm sạc, chiếm khoảng 50% tổng chi phí của trạm sạc; trong đó, thiết bị điện bán dẫn chiếm 30% chi phí của mô-đun sạc, tức là mô-đun điện bán dẫn chiếm khoảng 15% chi phí của trạm sạc, sẽ trở thành chuỗi hưởng lợi chính trong quá trình phát triển thị trường trạm sạc. Hiện nay, các thiết bị điện tử công suất được sử dụng trong các trạm sạc chủ yếu là IGBT và MOSFET, cả hai đều là sản phẩm dựa trên silicon, và sự phát triển của các trạm sạc hướng tới sạc nhanh DC đã đặt ra những yêu cầu cao hơn đối với các thiết bị điện tử công suất. Để việc sạc xe nhanh như đổ xăng tại trạm xăng, các nhà sản xuất ô tô đang tích cực tìm kiếm các vật liệu có thể nâng cao hiệu suất, và silicon carbide hiện đang dẫn đầu. Silicon carbide có ưu điểm là chịu nhiệt độ cao, chịu áp suất cao, công suất cao, v.v., có thể cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng và giảm kích thước sản phẩm. Hầu hết các xe điện sử dụng hệ thống sạc AC tích hợp, cần vài giờ để sạc đầy. Việc sử dụng công suất cao (như 30kW trở lên) để sạc nhanh xe điện đã trở thành hướng thiết kế quan trọng tiếp theo của các trạm sạc. Mặc dù có nhiều ưu điểm, các trạm sạc công suất cao cũng gặp phải nhiều thách thức, chẳng hạn như: cần phải thực hiện các thao tác chuyển mạch tần số cao, công suất lớn, và nhiệt lượng sinh ra do tổn thất chuyển đổi. Tuy nhiên, các sản phẩm MOSFET và diode SiC có đặc tính chịu điện áp cao, chịu nhiệt độ cao và tần số chuyển mạch nhanh, có thể được sử dụng tốt trong các mô-đun trạm sạc. So với các thiết bị dựa trên silicon truyền thống, các mô-đun silicon carbide có thể tăng công suất đầu ra của trạm sạc lên gần 30% và giảm tổn thất tới 50%. Đồng thời, các thiết bị silicon carbide cũng có thể tăng cường độ ổn định của trạm sạc. Đối với các trạm sạc điện, chi phí vẫn là một trong những yếu tố quan trọng hạn chế sự phát triển, do đó mật độ công suất của các trạm sạc rất quan trọng, và các thiết bị SiC là chìa khóa để đạt được mật độ công suất cao. Là một thiết bị điện áp cao, tốc độ cao và dòng điện cao, các thiết bị silicon carbide đơn giản hóa cấu trúc mạch của mô-đun sạc điện DC, tăng mức công suất trên mỗi đơn vị và tăng đáng kể mật độ công suất, mở đường cho việc giảm chi phí hệ thống của trạm sạc. Từ góc độ chi phí dài hạn và hiệu quả sử dụng, các trạm sạc công suất cao sử dụng thiết bị SiC sẽ mở ra những cơ hội thị trường khổng lồ. Theo dữ liệu của CITIC Securities, hiện nay, tỷ lệ thâm nhập của các thiết bị silicon carbide vào các trạm sạc xe điện mới chỉ khoảng 10%, điều này cũng mở ra một khoảng trống lớn cho các trạm sạc công suất cao. Là nhà cung cấp hàng đầu trong ngành công nghiệp sạc DC, MIDA Power đã phát triển và cho ra mắt sản phẩm mô-đun sạc có mật độ công suất cao nhất, mô-đun sạc đạt chuẩn bảo vệ IP65 đầu tiên với công nghệ ống dẫn khí độc lập. Với đội ngũ R&D mạnh mẽ và nguyên tắc hướng đến thị trường, MIDA Power đã nỗ lực rất nhiều và thành công trong việc phát triển mô-đun sạc hiệu suất cao SiC 40kW. Với hiệu suất đỉnh ấn tượng hơn 97% và dải điện áp đầu vào siêu rộng từ 150VDC đến 1000VDC, mô-đun sạc SiC 40kW đáp ứng hầu hết các tiêu chuẩn đầu vào trên thế giới đồng thời tiết kiệm năng lượng đáng kể. Với sự tăng trưởng nhanh chóng của số lượng trạm sạc, người ta tin rằng MOSFET SiC và mô-đun sạc SiC 40kW của MIDA Power sẽ được sử dụng ngày càng nhiều trong các trạm sạc yêu cầu mật độ công suất cao hơn trong tương lai.