40 կՎտ SiC բարձր արդյունավետության DC EV լիցքավորման մոդուլ

SiC բարձր արդյունավետության լիցքավորման մոդուլը մեծ ներուժ ունի, քանի որ բարձր լարման արագ լիցքավորման պահանջարկը կտրուկ աճում է։ Porsche-ի կողմից 2019 թվականի սեպտեմբերին Taycan 800V բարձր լարման հարթակային մոդելի համաշխարհային պրեմիերայից հետո, խոշոր էլեկտրական մեքենաների ընկերությունները թողարկել են 800V բարձր լարման արագ լիցքավորման մոդելներ, ինչպիսիք են Hyundai IONIQ-ը, Lotus Eletre-ն, BYD Dolphin-ը, Audi RS e-tron GT-ն և այլն: Բոլորն էլ մատակարարվում են կամ զանգվածային արտադրություն են ունենում վերջին երկու տարիների ընթացքում: 800V արագ լիցքավորումը դառնում է շուկայում հիմնական միտում։ CITIC Securities-ը կանխատեսում է, որ մինչև 2025 թվականը բարձր լարման արագ լիցքավորման մոդելների թիվը կհասնի 5.18 միլիոնի, իսկ ներթափանցման մակարդակը ներկայիս 10%-ից մի փոքր ավելի կաճի մինչև 34%: Սա կդառնա բարձր լարման արագ լիցքավորման շուկայի աճի հիմնական շարժիչ ուժը, և ակնկալվում է, որ վերին հոսանքի ընկերությունները անմիջականորեն կշահեն դրանից: Հանրային տեղեկատվության համաձայն, լիցքավորման մոդուլը լիցքավորման կույտի հիմնական բաղադրիչն է, որը կազմում է լիցքավորման կույտի ընդհանուր արժեքի մոտ 50%-ը, այդ թվում՝ կիսահաղորդչային սնուցման սարքը կազմում է լիցքավորման մոդուլի արժեքի 30%-ը, այսինքն՝ կիսահաղորդչային սնուցման մոդուլը կազմում է լիցքավորման կույտի արժեքի մոտ 15%-ը և կդառնա լիցքավորման կույտերի շուկայի զարգացման գործընթացում հիմնական շահառու շղթան։ Ներկայումս լիցքավորման կույտերում օգտագործվող հզորության սարքերը հիմնականում IGBT-ներ և MOSFET-ներ են, որոնք երկուսն էլ Si-ի վրա հիմնված արտադրանք են, և լիցքավորման կույտերի զարգացումը դեպի DC արագ լիցքավորում առաջ է քաշել հզորության սարքերի նկատմամբ ավելի բարձր պահանջներ: Որպեսզի ավտոմեքենաների լիցքավորումը լինի այնքան արագ, որքան բենզալցակայանում վառելիք լցնելը, ավտոարտադրողները ակտիվորեն փնտրում են նյութեր, որոնք կարող են բարելավել արդյունավետությունը, և սիլիցիումի կարբիդն այժմ առաջատարն է: Սիլիցիումի կարբիդն ունի բարձր ջերմաստիճանային դիմադրության, բարձր ճնշման դիմադրության, բարձր հզորության և այլնի առավելություններ, որոնք կարող են բարելավել էներգիայի փոխակերպման արդյունավետությունը և նվազեցնել արտադրանքի ծավալը: Էլեկտրական մեքենաների մեծ մասն օգտագործում է ներկառուցված փոփոխական հոսանքի լիցքավորման սխեմաներ, որոնց լրիվ լիցքավորման համար պահանջվում է մի քանի ժամ։ Բարձր հզորության (օրինակ՝ 30 կՎտ և ավելի) օգտագործումը էլեկտրական մեքենաների արագ լիցքավորման համար դարձել է լիցքավորման կույտերի հաջորդ կարևոր դասավորության ուղղությունը։ Բարձր հզորության լիցքավորման կույտերի առավելություններից անկախ, դրանք նաև բազմաթիվ մարտահրավերներ են բերում, ինչպիսիք են՝ բարձր հզորության բարձր հաճախականության անջատման գործողություններ իրականացնելու անհրաժեշտությունը և փոխակերպման կորուստներից առաջացող ջերմությունը: Այնուամենայնիվ, SiC MOSFET-ները և դիոդային արտադրանքները ունեն բարձր լարման դիմադրության, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրության և արագ անջատման հաճախականության բնութագրեր, որոնք կարող են լավ օգտագործվել լիցքավորման կույտերի մոդուլներում: Ավանդական սիլիցիումային սարքերի համեմատ, սիլիցիումի կարբիդային մոդուլները կարող են մեծացնել լիցքավորման կույտերի ելքային հզորությունը գրեթե 30%-ով և նվազեցնել կորուստները մինչև 50%-ով: Միևնույն ժամանակ, սիլիցիումի կարբիդային սարքերը կարող են նաև բարձրացնել լիցքավորման կույտերի կայունությունը: Լիցքավորման կույտերի համար արժեքը դեռևս զարգացումը սահմանափակող կարևոր գործոններից մեկն է, ուստի լիցքավորման կույտերի հզորության խտությունը շատ կարևոր է, և SiC սարքերը բարձր հզորության խտության հասնելու բանալին են: Որպես բարձր լարման, բարձր արագության և բարձր հոսանքի սարք, սիլիցիումի կարբիդային սարքերը պարզեցնում են հաստատուն հոսանքի կույտի լիցքավորման մոդուլի սխեմայի կառուցվածքը, բարձրացնում են միավորի հզորության մակարդակը և զգալիորեն բարձրացնում հզորության խտությունը, ինչը հարթում է լիցքավորման կույտի համակարգի արժեքը նվազեցնելու ճանապարհը: Երկարաժամկետ ծախսերի և օգտագործման արդյունավետության տեսանկյունից, SiC սարքեր օգտագործող բարձր հզորության լիցքավորման կույտերը կբացեն հսկայական շուկայական հնարավորություններ։ CITIC Securities-ի տվյալների համաձայն, ներկայումս նոր էներգետիկ տրանսպորտային միջոցների լիցքավորման կույտերում սիլիցիումի կարբիդային սարքերի ներթափանցման մակարդակը կազմում է ընդամենը մոտ 10%, ինչը նաև մեծ տարածք է թողնում բարձր հզորության լիցքավորման կույտերի համար։ Որպես մշտական ​​հոսանքի լիցքավորման ոլորտի առաջատար մատակարար՝ MIDA Power-ը մշակել և թողարկել է ամենաբարձր հզորության խտությամբ լիցքավորման մոդուլ, առաջին IP65 պաշտպանության մակարդակի լիցքավորման մոդուլը՝ անկախ օդային խողովակների տեխնոլոգիայով: Հզոր հետազոտությունների և զարգացման թիմի և շուկայական կողմնորոշման սկզբունքի շնորհիվ՝ MIDA Power-ը մեծ ջանքեր է գործադրել և հաջողությամբ մշակել է 40 կՎտ SiC բարձր արդյունավետության լիցքավորման մոդուլը: Ավելի քան 97% ապշեցուցիչ գագաթնակետային արդյունավետությամբ և 150 ՎԴԿ-ից մինչև 1000 ՎԴԿ գերլայն մուտքային լարման միջակայքով, 40 կՎտ SiC լիցքավորման մոդուլը համապատասխանում է աշխարհի գրեթե բոլոր մուտքային ստանդարտներին՝ միաժամանակ զգալիորեն խնայելով էներգիա: Լիցքավորման կույտերի թվի արագ աճի հետ մեկտեղ, ենթադրվում է, որ SiC MOSFET-ները և MIDA Power 40 կՎտ SiC լիցքավորման մոդուլը ապագայում ավելի ու ավելի հաճախ կօգտագործվեն լիցքավորման կույտերում, որոնք պահանջում են ավելի բարձր հզորության խտություն: