head_banner

Ultra Charger 240 კვტ NACS დამტენი სადგური 150 კვტ CHAdeMO დამტენით

Ultra Charger 240 კვტ NACS დამტენი სადგური 150 კვტ CHAdeMO დამტენით

ელექტრომობილებზე (EV) გლობალური გადასვლის დაჩქარებასთან ერთად, ამ ცვლილების მხარდამჭერ ინფრასტრუქტურას მოუწევს კონკურენტი სტანდარტებისა და სწრაფად მზარდი სიმძლავრის მოთხოვნების კომპლექსური ლანდშაფტის მართვა. მიუხედავად იმისა, რომ ჩრდილოეთ ამერიკის დამუხტვის სტანდარტი (NACS) სამგზავრო ავტომობილების ბაზარზე წინა პლანზე წამოვიდა, CHAdeMO სტანდარტის მემკვიდრეობით მიღებული და სპეციფიკური სამრეწველო გამოყენება გლობალური დამუხტვის ეკოსისტემის კრიტიკულ კომპონენტად რჩება. სადგურების ოპერატორებისთვის გამოწვევა ნათელია: როგორ უზრუნველვყოთ მომავლისთვის მზად, ულტრასწრაფი დამუხტვა უახლესი NACS-ით აღჭურვილი ავტომობილებისთვის, ისე, რომ არ მივატოვოთ CHAdeMO-ზე დამოკიდებული მილიონობით ავტომობილი და კომერციული პარკი, რომლებიც ჯერ კიდევ გზებზეა.

1. ლოჯისტიკის ელექტრიფიკაცია: გლობალური კომერციული იმპერატივი

ბოლო მილის მიწოდებისა და მძიმე ტვირთების ლოჯისტიკის მაღალი ფსონების მქონე სამყაროში, შიდა წვის ძრავებიდან ელექტროძრავებზე გადასვლა აღარ არის არჩევითი. MIDA Power (迈依达), ინჟინერიის ათწლეულის სრულყოფილება, ამ რევოლუციის წინა პლანზეა.Ultra Charger 240 კვტ NACS დამტენი სადგური 150 კვტ CHAdeMO დამტენით.

ლოგისტიკური ჰაბები წარმოადგენენ უნიკალურ გარემოს, სადაც შეფერხებები პირდაპირი შემოსავლის დანაკარგია.Ultra Charger 240 კვტ NACS დამტენი სადგური 150 კვტ CHAdeMO დამტენითშექმნილია ურბანული მიწოდების ცენტრების, აეროპორტის სატვირთო ტერმინალების და საზღვაო-პორტის ლოგისტიკური დერეფნების დამქანცველი სამუშაო ციკლების დასაკმაყოფილებლად. 1000 ვოლტიანი მაღალი ძაბვის პლატფორმის გამოყენებით, MIDA უზრუნველყოფს, რომ ახალი თაობის ელექტრო ფურგონები და მძიმე სატვირთო მანქანები ნაკლებ დროს ატარებენ დისპენსერთან და მეტ დროს გზაზე.

2. ტექნიკური არქიტექტურა: MIDA Power Stack-ის შიგნით

2.1 SiC MOSFET ტოპოლოგია და ეფექტურობა

ტრადიციული მუდმივი დენის დამტენები ხშირად განიცდიან ეფექტურობის ვარდნას ნაწილობრივი დატვირთვის დროს. MIDA-ებიUltra Charger 240 კვტ NACS დამტენი სადგური 150 კვტ CHAdeMO დამტენითიყენებს მრავალფაზიან სილიციუმის კარბიდის (SiC) MOSFET ტოპოლოგიას. სტანდარტული IGBT-ზე დაფუძნებული სისტემებისგან განსხვავებით, SiC იძლევა უფრო მაღალი გადართვის სიხშირეების (100 კჰც-მდე) გამოყენების საშუალებას, რაც გადართვის დანაკარგებს 30%-ით ამცირებს. ეს არქიტექტურა საშუალებას იძლევაUltra Charger 240 კვტ NACS დამტენი სადგური 150 კვტ CHAdeMO დამტენით96.5%-იანი პიკური ეფექტურობის შესანარჩუნებლად.

Ultra Charger 240 კვტ NACS დამტენი სადგური 150 კვტ CHAdeMO დამტენით


ტექნიკური დანართი: MIDA-ს ენერგეტიკული ინფრასტრუქტურის საბოლოო დოკუმენტი

ეს დანართი MIDA Power DC Fast Charging სერიის ყოვლისმომცველ ტექნიკურ საფუძველს წარმოადგენს. ის CPO-ებს (დამუხტვის პუნქტის ოპერატორებს), ავტოპარკის მენეჯერებსა და ინფრასტრუქტურის ინვესტორებს MIDA-ს 2026 წლის პროდუქციის ხაზის განმსაზღვრელი აპარატურის, პროგრამული უზრუნველყოფისა და მარეგულირებელი ჩარჩოების სიღრმისეულ გაგებას სთავაზობს.

I. აპარატურის არქიტექტურა: მაღალი ეფექტურობის კონვერტაციის ფიზიკა

ყველა MIDA DC სადგურის ბირთვში მოთავსებულია მოდულური სიმძლავრის გარდაქმნის დასტა, რომელიც იყენებს ფართო ზოლის მქონე ნახევარგამტარული ტექნოლოგიის უახლეს ვერსიებს. ჩვენი გადასვლა ტრადიციული სილიკონის IGBT-ებიდანსილიკონის კარბიდის (SiC) MOSFET-ებიწარმოადგენს ენერგიის სიმკვრივისა და თერმული მდგრადობის პარადიგმის ცვლილებას.

1.1 SiC MOSFET ტოპოლოგია და LLC რეზონანსული გადამყვანები

MIDA-ს 30 კვტ და 40 კვტ სიმძლავრის მოდულები იყენებენფაზური გადახრის სრული ხიდი (PSFB)შერწყმულიაშპს რეზონანსული გადამყვანიეტაპი. ეს კონფიგურაცია საშუალებას იძლევანულოვანი ძაბვის გადართვა (ZVS)მთელი დატვირთვის სპექტრი. ჩართვის ფაზაში გადართვის დანაკარგების აღმოფხვრით, ჩვენ მივაღწევთ პიკურ გარდაქმნის ეფექტურობას 96.5%-ის ტოლი. SiC მასალების გამოყენება საშუალებას იძლევა გადართვის სიხშირეები 100 კჰც-ზე მეტი იყოს, რაც მნიშვნელოვნად ამცირებს მაგნიტური კომპონენტების, როგორიცაა მაღალი სიხშირის ტრანსფორმატორები და ინდუქტორები, ფიზიკურ მოცულობას, რაც იწვევს უფრო კომპაქტურ კორპუსის ზომას გამომავალი სიმძლავრის შემცირების გარეშე.

1.2 იზოლირებული საჰაერო მილების გაგრილება და თერმული მართვა

სამრეწველო და კომერციულ გარემოში, ელექტრონული სისტემის გაუმართაობა ყველაზე ხშირად გამოწვეულია გარემოს დაბინძურებით. MIDA ინჟინერიამ პიონერად დანერგა„იზოლირებული საჰაერო მილი“დიზაინი. შიდა კამერა ჰერმეტულად არის გაყოფილი: სიმძლავრის ნახევარგამტარები და მაგნიტური ელემენტები გაგრილდება სპეციალური მაღალი წნევის ქარის გვირაბის მეშვეობით, ხოლო მართვის ლოგიკა, საკომუნიკაციო მოდულები და HMI განთავსებულია დალუქულ, მტვრისგან თავისუფალ განყოფილებაში. ეს უზრუნველყოფს, რომ IP54 ან IP55 კლასის გარე დამონტაჟებებშიც კი, გამტარი მტვერი ან ტენიანობა ვერ გადალახავს მაღალი ძაბვის სალტეებს.

II. ინტელექტის ფენა: AI-DES ენერგიის დაგეგმვის ალგორითმი

თანამედროვე დამუხტვა აღარ შემოიფარგლება მხოლოდ ნედლი კილოვატებით მიწოდებაზე; ეს ეხება ენერგიის ინტელექტუალურ ორკესტრირებას. MIDA-ს საკუთრებაში არსებული...AI-DES (AI - დინამიური ენერგიის დაგეგმვა)პლატფორმა სამდონიან ლოგიკურ ჩარჩოზე მუშაობს:

  • დონე 1: ბადისებრი კიდის რეაგირება:დამტენი აკონტროლებს ლოკალური ქსელის სიხშირისა და ძაბვის გარდამავალ ცვლილებებს 10 kHz შერჩევის სიხშირით. თუ ქსელის არასტაბილურობა გამოვლინდება, AI-DES სისტემას შეუძლია შეამციროს გამომავალი სიჩქარე 20 ms-ის განმავლობაში, რათა თავიდან აიცილოს ლოკალური ამომრთველის გამორთვა, რაც კომუნალური მომსახურების მიმწოდებლისთვის ბუფერის როლს ასრულებს.
  • მე-2 დონე: ავტომობილზე ორიენტირებული ოპტიმიზაცია:ISO 15118 „შეაერთე და დატენე“ ​​ტელემეტრიის გამოყენებით, AI-DES სისტემა ავტომობილის BMS-თან ოპტიმალურ დატენვის მრუდს ათანხმებს. ის ითვალისწინებს აკუმულატორის ტემპერატურას, ჯანმრთელობის მდგომარეობას (SoH) და შიდა წინააღმდეგობას, რათა თავიდან აიცილოს ლითიუმის უჯრედების ნაადრევი დაბერება.
  • მე-3 დონე: ეკონომიკური ავტოპარკის მართვა:მასშტაბური დეპოებისთვის, სისტემა ინტეგრირდება ენერგიის სპოტ ბაზრებთან. ის პრიორიტეტს ანიჭებს დატენვას დაბალი ტარიფების დროს და შეუძლია გამოიყენოს შიდა ბატარეის ენერგიის შენახვის სისტემები (BESS) „პიკური გაწმენდის“ განსახორციელებლად, რითაც თავიდან აიცილებს კომუნალური კომპანიების მიერ პიკის საათებში დაწესებულ მაღალი მოთხოვნის გადასახადებს.

გამოქვეყნების დრო: 2026 წლის 8 აგვისტო

დატოვეთ თქვენი შეტყობინება:

დაწერეთ თქვენი შეტყობინება აქ და გამოგვიგზავნეთ